DDR5技术进步：美国限制下CXMT对SK海力士和美光的立场

在美国限制芯片出口的情况下，CXMT的DDR5技术进步正在缩小与SK海力士、美光的差距。长信存储技术有限公司成功地缩小了芯片的生产尺寸，同时显著提高了成品率。这一进展表明，尽管美国持续制裁，但中国在DRAM领域的竞争力不断增强。

DDR5技术聚焦

中国领先的动态随机存取存储器（DRAM）芯片生产商长信存储技术（CXMT）已将其制造技术提升至16纳米，缩小了与行业巨头的差距三星电子，SK Hynix,美光科技。这家总部位于合肥的公司利用先进的芯片制造节点开发了一款消费级芯片，这是一项引人注目的成就美国的制裁根据加拿大集成电路（IC）研究公司的一份报告TechInsights．

存储芯片的重大进展

新的16g （Gb）芯片采用DDR5技术预计到2027年，三星电子将主导DRAM市场。它的尺寸约为67平方毫米，每平方毫米的存储密度为0.239Gb。CXMT最新的G4 DRAM技术的特点是存储单元比之前的G3技术小20%。自G1代节点以来的重大进步。产量从20%提高到80%。市场竞争与全球领先的DDR5合作。

在限制中前进的道路

然而，CXMT仍然面临美国实施的设备进口限制美国商务部旨在限制中国的逻辑芯片制造能力。尽管如此，该公司正在积极开发下一代15nm以下技术和高带宽存储芯片人工智能应用．

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